本次的主角是硫化鋅（ZnS）。這種材料又叫閃鋅礦，是一種寶石。常見的閃鋅礦因為含有雜質，而顯現(xiàn)出黃色或棕色等色彩。純凈的閃鋅礦是透明的，在光電子器件中有廣泛應用。

作為寶石的硫化鋅，其中的黃色是因為含有微量金屬雜質，圖片來源：Patrickvoillot.com

      一般情況下，這種硫化鋅材料是典型的“餅干型”，受到外力時基本是“嘎嘣碎”。而研究者們發(fā)現(xiàn)，如果在完全黑暗的條件中對硫化鋅晶體進行力學測試，它卻能展現(xiàn)出非凡的“塑性”。

      實驗人員在室溫下，對硫化鋅施加了三種光照條件：一種是普通的白光，第二種是紫外光，第三種是完全黑暗。實驗結果顯示，在普通白光和紫外光的照射下，硫化鋅晶體表現(xiàn)的是常見的脆性——對材料施加足夠的力量，就會立即斷裂，甚至破碎。相反，如果在完全黑暗的環(huán)境中，發(fā)現(xiàn)硫化鋅晶體可以發(fā)生高達45%的變形量而不被破壞。也就是說，這塊小晶體雖然被壓扁了一半，卻仍然保持穩(wěn)定。

      實際上，在其他一些半導體材料中，也發(fā)現(xiàn)過光照影響材料力學性能的例子。比如，有研究發(fā)現(xiàn)紫外線的照射可以讓一種特定半導體材料變硬，并用到專門的概念來描述這一現(xiàn)象，即所謂的“光塑性效應”[2]。然而，從沒有人意識到全黑的環(huán)境對材料的塑性影響如此之大。

（A）硫化鋅晶體，（B）在普通的光環(huán)境下，機械測試后晶體被粉碎性破壞，（C）在完全黑暗中， 硫化鋅晶體變得具有塑性。 圖片來源: Nagoya-u.ac.jp

      為什么會有如此神奇的現(xiàn)象？這就需要從微觀的層面進行解釋了。為了更好地幫助大家理解這個問題，我們需要先引入一個有趣的術語，名叫“位錯”。

      “位錯”，從字面來看是說位置錯了，在這里其實特指原子排列的位置發(fā)生錯誤。在金屬和半導體這些材料中，原子本來是按照特定方式規(guī)則排列的。而如果某個原子的位置發(fā)生了偏移，或者在某處丟失了一個原子，那么就會形成“位錯”。

      位錯理論的提出，源于材料學上一個長期存在的巨大疑問。

      1926年，蘇聯(lián)物理學家弗侖克爾計算發(fā)現(xiàn)，要想拉斷理想的金屬晶體，需要1~10千兆帕的應力——幾乎相當于1頭成年非洲象站在1平方厘米的面積上。而實際中測得的這些金屬的強度，僅為理論數(shù)值的千分之一。如此巨大的差異，讓科學家們一時摸不著頭腦。直到8年之后，三位不同國家的科學家，幾乎同時提出了位錯理論，才化解這一矛盾。

      原來，晶體其實并不像人們之前認為的那么完美，它們內部原子的排列會有局部的缺陷，而這些缺陷就形成了位錯。當材料受力的時候，這些位錯會發(fā)生移動，從材料的內部移動到表面（這一過程可以由下面的動圖表示）。對于完美的晶體，拉斷它們需要打斷橫截面上的所有原子。而對于有位錯的晶體，只要破壞位錯附近少數(shù)原子即可，因此所需的外加力量將大大降低[3]。

圖片來源: Corematerials

      位錯概念剛提出時，僅僅是一個初步的猜想。然而，它卻可以合理地解釋原來很多無法理解的實驗現(xiàn)象，因而得到很多學者的支持。隨著科技的發(fā)展，特別是先進顯微鏡技術的飛躍，人們終于可以觀測到原子級的微觀結構，最終證實了位錯的存在。

      再回到硫化鋅，受不同光照條件的影響，晶體中的電子會有不同的分布狀態(tài)。黑暗中的電子分布狀態(tài)有利于產(chǎn)生更多的位錯。而且，此時產(chǎn)生的位錯是“滑移型”，這種特殊的位錯形式使材料更容易發(fā)生變形。隨著這些原子級別的差異逐漸累積，在肉眼可見的尺度上，最終促成了硫化鋅晶體從“餅干”向“牛軋?zhí)恰钡霓D變。

掃描透射電子顯微鏡下觀察不同狀態(tài)硫化鋅中的位錯（A）原始樣品（B）黑暗中變形后的樣品，其中顏色較深的“蜿蜒細線”就是位錯。可明顯看出黑暗中樣品的位錯更為密集。圖片來源：參考文獻[1]

      位錯的影響，還遠不止變形這么簡單。如果你觀察足夠仔細，會發(fā)現(xiàn)在黑暗中壓扁的硫化鋅，顏色由透明轉成了橙棕色。俗話說“相由心生”，晶體顏色往往也是其成分、微觀結構等深層次信息的外觀反映——大量的位錯其實引發(fā)了硫化鋅在電學、光學性質的改變，進而反映在了顏色改變上。

      科學家們在這項研究中不僅展示了硫化鋅的“變身大法”，揭示晶體力學性質的光敏特性，還為半導體設計提供新的思路——說不定未來的半導體加工制造過程，需要通過開燈不開燈來控制呢。

      看似平凡無奇的硫化鋅，都因蘊藏著超凡性質化身“超級半導體”。不知這世上的萬千種材料，還有多少奧秘等待發(fā)現(xiàn)。

題圖來源：《變形金剛》劇照

參考文獻：

[1] Oshima Y., Nakamura, A., & Matsunaga, K. (2018). Extraordinary plasticity of an inorganic semiconductor in darkness. Science, 360(6390), 772-774

[2] Yannopoulos, S. N., & Trunov, M. L. (2009). Photoplastic effects in chalcogenide glasses: A review. Physica Status Solidi (B), 246(8), 1773-1785.

[3] 胡賡祥, 蔡珣, & 戎詠華. (2000). 材料科學基礎. 上海 上海交通大學出版.